新型SiC模块，可将安装面积减少一半

ROHM 是业内首家量产 SiC 功率元器件的公司，这些产品在工业、汽车、铁路以及消费类电子产品等各种领域中被广泛采用。罗姆在 SiC 功率元器件和模块的开发领域处于先进地位，这些器件和模块在许多行业的应用中都实现了更佳的节能效果。

2025 年 4 月 24 日，ROHM 宣布开发出用于电动汽车（xEV）车载充电器（OBC）的新型 SiC（碳化硅）模块。采用高散热封装、低导通电阻的第四代 SiC MOSFET，其功率密度达到传统 DIP 模块的 1.4 倍以上，公司宣称其「达到业界顶级水平」。这使得安装面积显著减少。

2029，市场规模超过 900 亿日元

在 xEV 中，为了延长行驶距离并提高充电速度，电池电压变得越来越高，这需要提高 OBC 和 DC-DC 转换器的输出。另一方面，市场要求模块体积更小、重量更轻，需要技术突破来提高功率密度，这是实现这一目标的关键，而提高散热性能则是实现这一目标的障碍。

ROHM 表示，目前 OBC 的输出功率范围为 11kW，但 22kW 级的型号也正在陆续推出，尤其是在高端领域，预计其输出功率还将继续扩大。目前，大多数配置都以 IGBT 和 SiC 等分立元件为中心，但 ROHM 解释说，在需要更高功率密度的 22kW 级别中，模块化将变得至关重要。通过克服上述技术挑战并开发出具有「行业顶级」功率密度的新模块，可以实现紧凑尺寸和高输出，从而满足市场需求。

OBC 的市场需求。来源：ROHM

据法国市场调查公司 Yole 集团预测，到 2029 年，OBC 及 DC-DC 用 SiC 市场规模预计将增长至约 926 亿日元。其中，仅 OBC 的销售额就预计将扩大至约 674 亿日元。 ROHM 的目标是让其开发的新模块成为事实上的标准，并扩大其在该市场的份额。新模块已经获得两家一级制造商的设计认可。

OBC 和 DC-DC 的 SiC 市场（图右下）来源：ROHM

「业界领先的功率密度」

ROHM 现已开发出用于 OBC PFC 和 LLC 转换器的「HSDIP20」4 合 1 和 6 合 1 配置 SiC 模压型模块。 HSDIP20 采用高散热性能的绝缘基板，以抑制封装产生的热量。实际上，将 OBC 中常用的 PFC 电路（使用六个 SiC MOSFET）与六个顶部散热分立元件和六合一 HSDIP20 配置进行比较时，可以确认在 35W 下运行时发热量减少了 37％。

此外，ROHM 的第四代 SiC MOSFET 具有高散热性能和低导通电阻，可以在小封装内处理大电流。所实现的功率密度是「业界领先的」（据该公司称），是顶部加热分立器件的三倍多，是竞争 DIP 型模块的 1.4 倍多。

通过实现这种高功率密度，与使用分立元件时相比，OBC PFC 电路的安装面积可以大幅减少约 52%。此外，典型的 OBC 电路配置（两相全桥 PFC+LLC 转换器）需要 14 个分立元件，但可以通过组合 3 个 HSDIP20 以 6in1 和 4in1 配置来配置，从而可以构建简单紧凑的电源电路。

减少贴装面积的概述。来源：ROHM

HSDIP20 系列包括 6 个耐压 750V 产品型号和 7 个耐压 1200V 产品型号。样品价格为每台 15,000 日元（不含税）。此外，还提供两种类型的评估套件：一种用于双脉冲测试，一种用于三相全桥测试。 HSDIP20 的主要对象虽然是 OBC 和 DC-DC，但在工业设备领域的一次电路中，PFC、LLC 转换器等功率转换电路也被广泛使用，因此可以说它无论在工业领域还是民生设备领域，都能为应用的小型化做出贡献。

ROHM 将于 2025 年 4 月开始量产 HSDIP20，目前月产能为 10 万台。生产基地包括负责前端工序的 ROHM Apollo 筑后工厂（福冈县筑后市）和 LAPIS 半导体宫崎工厂（宫崎县宫崎市），以及负责后端工序的泰国 ROHM Integrated Systems。

展望未来，ROHM 计划在 2025 年推出二合一 DIP 型模块作为 OBC 用的 SiC 模块，随后在 2026 年推出易于自动化的表面贴装型二合一产品，并从 2027 年开始推出内置栅极驱动器的 SiC IPM，从而实现进一步的小型化。ROHM 将不断推出满足市场需求的产品，增强 ROHM 的竞争力。