英特尔+软银联手剑指HBM
美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM解决方案，以替代高带宽存储器（HBM）。据报道，双方已合资成立新公司Saimemory共同打造原型产品，该项目将利用英特尔的芯片堆叠技术以及东京大学持有的数据传输专利，软银则以30亿日元注资成为最大股东（总投资约100亿日元）。
该合作计划于2027年完成原型开发并评估量产可行性，目标是在2030年前实现商业化。
Saimemory将主要专注于芯片的设计工作以及专利管理，而芯片的制造环节则将交由外部代工厂负责这种分工模式有助于充分发挥各方的优势，提高研发效率。如果这项技术成功，软银希望优先获得供应权，为其投资的AI业务（如ARM架构芯片）构建供应链协同优势。
在AI算力需求爆发的当下，HBM因适配AI处理器的数据吞吐需求而成为市场焦点，但复杂制程导致的高成本、高功耗及发热问题却日益凸显。因此，软银与英特尔计划通过采用不同于现有HBM的布线方式：通过垂直堆叠多颗DRAM芯片，并改进芯片间的互连技术（如采用英特尔的嵌入式多芯片互连桥接技术 EMIB），在提升存储容量的同时降低数据传输功耗。实现至少大一倍的存储容量，同时将耗电量减少40%，并大幅降低成本。
Saimemory并非第一家探索3D堆叠式DRAM的企业，三星早在去年就宣布了开发3D DRAM和堆叠式DRAM的计划。不过，这些项目的重点在于提升单芯片容量，目标是实现每个内存模块高达512GB的容量。相比之下，Saimemory的核心目标是降低功耗 —— 这是当前数据中心最为迫切的需求，尤其是在AI计算功耗逐年飙升的背景下。
当前，全球仅有三星、SK海力士和美光三家公司能够量产最新一代HBM芯片。随着AI芯片需求的激增，HBM供不应求的情况日益严重，Saimemory希望借助这一替代方案抢占日本数据中心市场，甚至进一步扩展其影响力。这也标志着日本时隔二十多年后，首次试图重返主流存储芯片供应商行列。
在1980年代，日本企业曾占据全球约70%的存储芯片市场份额，是当时的行业霸主。然而，随着韩国和台湾地区厂商的崛起，1990年代后衰退，市占率暴跌，日本多数存储芯片企业逐渐退出了市场，仅存材料和设备等领域优势。
日本存储器复兴野心
AI服务器需求推动HBM价格在2024年上涨超50%，2025年仍供不应求。软银和英特尔并不打算在HBM领域直接竞争，而是计划开发一种能够显著降低功耗的“堆叠式DRAM芯片”，这实际上是在寻求重塑市场，而非进入现有市场。Saimemory的替代方案若能在2030年前量产，有望切入日本本土数据中心市场，并凭借低功耗优势吸引对电费敏感的互联网企业。
Saimemory将自己定义为一家无晶圆厂芯片设计和知识产权管理公司，这与三星和SK海力士形成了鲜明对比，后者则采用综合设计和制造存储芯片的方式。据东京电视台报道，Saimemory将于7月开始运营，软银担任公司首席财务官，英特尔担任首席技术官，东京大学担任首席科学官，一位前东芝高管将担任首席执行官。
自1980年代失去70%以上的DRAM市场份额后，日本最后一家DRAM制造商尔必达（Elpida）于2012年破产，并被美国美光公司收购，东芝分拆出来的铠侠（Kioxia）目前只生产NAND闪存。韩国是存储芯片制造领域的领导者，三星和SK海力士占据了全球DRAM市场73%的份额，以及NAND闪存市场的51%，控制着全球约90%的HBM市场。
日本政府正与软银携手合作，重建该国的半导体产业。去年4月，软银开始在北海道建设日本最大的数据中心，投资额达650亿日元，其中约45%由政府补贴。该设施位于Rapidus附近，引发了人们对其将从这家新代工厂采购芯片的猜测。据《朝日新闻》报道，日本迄今已承诺向Rapidus投资1.82万亿日元，并为此修改了《信息处理促进法》等法律。
而对于英特尔而言，此次合作亦是其「IDM 2.0」战略的延伸，通过开放技术合作扩大生态影响力，而非仅依赖自有制造能力。然而，技术落地仍面临多重挑战：3D堆叠DRAM的良率控制、量产成本能否真正低于HBM、与现有AI处理器的兼容性适配等均需时间验证。
